闳阳光电(上海)有限公司

台湾光宏 大功率 38 x 38mil 绿光双电LED芯片 EP-G3838B-A3

目的本规格书针对光鋐科技之38mil InGaN綠光LED晶粒(EP-G3838B-A3)之相关基本特性进行说明，以作为客户应用时之参考资料。 产品特性本产品为标准蓝宝石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED单面双电结构，以具... ...

大功率 LED芯片 BH-Y4242D-A1(黃光)双电 台湾光宏

ScopeThis specification applies to AlInGaP metal bonding 42 x 42mil yellow LED chip, BH-Y4242D-A1. MaterialsP-pad：Au alloyN-pad：Au alloy DimensionsChip size：1060&plun;25μm x 1060&plu... ...

台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B3030D-A3（蓝光）双电

目的 本規格書針對光鋐科技之 30milInGaN藍光LED 晶粒 (EP-B3030D –A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結... ...

台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B2424C-A3（蓝白光）

目的 本規格書針對光鋐科技之24mil InGaN藍光LED晶粒(EP-B2424C-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED 單面雙電極結構，以具... ...

台湾光宏 大功率 LED芯片 BN-Y3232A-A3（黄光）

目的本規格書針對光鋐科技之32mil InGaN黄光LED晶粒(BN-Y3232A-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。产品特性本產品為標準黄寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED單面雙電極結構，以具有... ...

台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-U4545K-A3（紫光）

目的 本規格書針對光鋐科技之InGaN/GaN45 x 45mil藍光LED 晶粒 (EP-U4545K-A3) 之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。 产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電... ...

台湾光宏 大功率 LED芯片 BN-Y3838C-A3（黄光）

目的本規格書針對光鋐科技之38mil AlInGaPIRLED晶粒(BN-Y3838C-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。。产品特性本產品為AlInGaP磊晶層以金屬介面結合(Metal bonding)於Ｓi基板，N-pad在上雙... ...

台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-U1311A-A3 紫光

ScopeThis specification applies to AlInGaP metal bonding 13 x 11mil red Purple chip, EP-U1311-A3. MaterialsP-pad：Au alloy.N-pad：Au alloy. DimensionsChip size：1060&plun;25μm x 1060&plun;2... ...

台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B4040F-A3（蓝光）

目的 本規格書針對光鋐科技之 InGaN/GaN 40 x 40mil藍光LED 晶粒 (EP-B4040F-A3) 之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。 产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED 單面... ...